8英寸氧化硅片襯底單晶硅片

直徑 8英寸

生長(zhǎng)方式 直拉/區(qū)熔

導(dǎo)電類(lèi)型 P型/N型/本征

晶圓方向 0 - 100 ohm.cm

拋光: 單面/雙面

總厚 720± 20微米

彎曲度 小于等于50微米

翹曲度 小于等于50微米

總厚度偏差 小于等于25微米

直徑 200± 0.5微米

晶格缺陷:無(wú)

電阻率 : 可定制

激光打標(biāo)： 可定制

particle: 小于等于0.3微米小于等于30